20 June 2026, 02:00

Infineon gewinnt Patentstreit um Galliumnitrid-Technologie gegen Innoscience

Infineon gewinnt Patentstreit gegen Innoscience

Infineon gewinnt Patentstreit um Galliumnitrid-Technologie gegen Innoscience

Das Landgericht München hat in zwei Patentverletzungsverfahren zugunsten von Infineon Technologies entschieden, bei denen es um Galliumnitrid-Technologie (GaN) ging. Das Urteil verbietet dem chinesischen Unternehmen Innoscience, bestimmte GaN-Produkte in Deutschland herzustellen, zu verkaufen oder zu vermarkten. Dies stellt bereits die dritte und vierte juristische Niederlage für das Unternehmen in Streitigkeiten um das geistige Eigentum von Infineon dar.

Im Mittelpunkt der Verfahren stand die unbefugte Nutzung von GaN-Technologien, die Infineon patentiert hat. Das Gericht befand Innoscience der Patentverletzung für schuldig und verurteilte das Unternehmen zur Zahlung von Schadensersatz. Infineon verfügt über eines der umfangreichsten GaN-Patentportfolios der Branche, das mit rund 450 Patentfamilien seine Innovationen schützt.

Johannes Schoiswohl, Senior Vice President und Leiter der GaN-Systems-Geschäftseinheit bei Infineon, erklärte, das Urteil unterstreiche die Stärke des GaN-Portfolios des Unternehmens. Gleichzeitig zeige es Infineons Entschlossenheit, sein geistiges Eigentum zu verteidigen. Bereits zuvor hatte die US-Handelskommission (U.S. International Trade Commission) Innoscience schuldig gesprochen, ein GaN-Patent von Infineon verletzt zu haben.

GaN-Technologie ist entscheidend für die Entwicklung hochleistungsfähiger und energieeffizienter Stromversorgungssysteme in verschiedenen Anwendungsbereichen. Infineon treibt weiterhin Innovationen in der Halbleitertechnologie voran, um globale Herausforderungen zu bewältigen.

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Die Entscheidung des Gerichts festigt Infineons Position auf dem GaN-Markt. Innoscience muss nun das Verbot der verletzenden Produkte in Deutschland einhalten und die zugesprochenen Schadensersatzzahlungen leisten. Das umfangreiche Patentportfolio von Infineon bleibt ein zentraler Baustein, um seine Halbleitertechnologien voranzubringen und zu schützen.

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